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半导体三极管参数符号及其意义
如果晶体管的共发射极电流放大系数 = IC / IB =100, 集电极电流 IC= *IB=10mA。在500的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电......【点击详情】
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设计差异化是推动半导体产业发展的关键
在互联网设备和通信设备日趋小型化和功能愈加强大的推动下，人们能够随时随地进行快速扩展的互连成为当前主要的趋势之一，并将对电子产业产生持续的影响。由于需要更先进的模......【点击详情】
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为什么SiC器件还没能取代IGBT？
碳化硅（SiC）器件生产工艺和技术已经日趋成熟，目前市场推广最大的障碍是成本。包括研发和生产成本以及应用中碳化硅器件代换IGBT后整个电路中的驱动电容电阻的成本。除非生产商......【点击详情】
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如何用万用表检测可控硅
可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴......【点击详情】
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可控硅整流电路采取过电压保护的原因
在可控硅整流电路的沟通输人端、直流输出端及元件上。都接有RC吸收网络或硒堆等过电压保护，因为可控硅的耐受过电压的能力较差。而在沟通侧及直流侧会经常发生一些过电压，如......【点击详情】
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IGBT常用缓冲电路有哪些?
由于电力电子器件工作状态有开通、通态、关断、断态四种工作状态，其中断态、通态分别承受高电压、大电流，而开通和关断的过程中，开关器件可能同时承受过压过流、过大的di/......【点击详情】
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